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直流耐壓試驗(yàn)測(cè)試設(shè)備的高壓獲得

更新時(shí)間:2021-02-25   點(diǎn)擊次數(shù):883次

直流耐壓試驗(yàn)測(cè)試設(shè)備的直流高壓獲得。

  一、半波整流電路

  半波整流電路及其測(cè)量接線如圖1-1所示。一般用于測(cè)量大容量變壓器、電纜等泄漏電流和進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn)。

圖1-1 半波整流電路原理接線圖

  半波整流電路分為以下幾部分。

  1.交流高壓電源

  這部分包括試驗(yàn)變壓器T2、自耦式調(diào)壓器T1和控制保護(hù)裝置等。理想情況下,輸出的直流高壓Ud=√2U1=√2KU2,式中K為試驗(yàn)變壓器T2的變比;U1、U2為其一次二次側(cè)電壓。當(dāng)要求直流高壓準(zhǔn)確度高時(shí),如用于測(cè)量避雷器泄漏電流時(shí),必須從高壓側(cè)直接測(cè)量直流高壓。如用換算值則可能誤差較大。

  2.整流部分

  整流部分包括高壓硅堆和穩(wěn)壓電容器(濾波電容器),作用是整流濾波,獲得較理想的直流波形。一般情況下,高壓硅堆的額定反峰電壓應(yīng)大于所加Z高交流電壓有效值的2√2倍,額定電流也應(yīng)滿足試驗(yàn)電流的要求。

  多只硅堆串聯(lián)時(shí),為了使每只硅堆電壓分配均勻,需并聯(lián)均壓電阻R,其數(shù)值一般為硅堆反向電阻的1/3~1/4倍。

  穩(wěn)壓電容器電容C的選擇:當(dāng)試驗(yàn)電壓為3~10kV時(shí),C>0.06μF;15~20kV時(shí),C>0.015μF;30kV以上時(shí),C>0.01μF。

  因大容量設(shè)備,如大型發(fā)電機(jī)、變壓器、電纜等試品本身電容量較大,測(cè)量其泄漏電流或進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn)時(shí),可以不加穩(wěn)壓電容。

  3.保護(hù)電阻R1

  保護(hù)電阻R1的作用是限制被試品擊穿時(shí)短路電流,保護(hù)試驗(yàn)變壓器、硅堆及微安表。一般采用水電阻作為保護(hù)電阻。選用原則是:當(dāng)試品擊穿時(shí),既能將短路電流限制在硅堆的大允許電流之內(nèi),又能使控制保護(hù)裝置的過(guò)流保護(hù)可靠動(dòng)作。正常工作時(shí)水電阻上壓降不宜過(guò)大(應(yīng)在試驗(yàn)電壓的1%以下),一般按10Ω/V取值。試驗(yàn)中常用有機(jī)玻璃管、透明硬塑料管沖水制成,其表面爬電距離常按3~4kV/cm考慮。

  4.微安表

  微安表用于測(cè)量泄漏電流。表的量程可以根據(jù)試品的種類適當(dāng)選擇。在測(cè)量中微安表有三種接線方式:

  (1)微安表接在試品高壓端,如圖1-1中PA1位置。

  這種接線的有點(diǎn)是測(cè)出的泄漏電流準(zhǔn)確,排除了部分雜散電流的影響,接線簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)是微安表處于高電位,必須有良好的絕緣屏蔽;微安表位置距離實(shí)驗(yàn)員較遠(yuǎn),讀數(shù)不便,更換量程不易。另外,有一些微安表頭在高電壓磁場(chǎng)下易極化,造成較大的測(cè)量誤差。在被試品接地端無(wú)法斷開(kāi)時(shí)常采用這種接線。

  (2)微安表接在高壓試驗(yàn)變壓器T2的一次(高壓)繞組尾部,如圖1-1中PA2位置。

  這種接線的微安表處于低電位,具有讀數(shù)安全、切換量程方便等優(yōu)點(diǎn)。一般成套直流高壓裝置中的微安表采用這種接線。這種接線的缺點(diǎn)是高壓導(dǎo)線等對(duì)地部分的雜散電流均通過(guò)微安表,測(cè)量結(jié)果誤差較大,如圖1-2所示。

圖1-2 通過(guò)微安表PA2的雜散電流路徑示意圖

  I1—電暈電流;I2—漏電流;I—通過(guò)PA2的雜散電流

  (3)微安表接在試品低壓端,如圖1-1中PA3位置。

  當(dāng)被試品的接地端能與地?cái)嚅_(kāi)并有絕緣時(shí)(如避雷器),可采用這種接線方法。這種接線的微安表處于低電位,高壓引線等部分雜散電流不經(jīng)過(guò)微安表,讀數(shù)、切換量程方便,屏蔽容易。推薦盡可能采用這種接線。

圖1-3 微安表保護(hù)回路示意圖

  一般Z用的微安表保護(hù)回路,如圖1-3所示。圖中C1是濾波電容,濾掉測(cè)量回路中的交流分量并保證放電管穩(wěn)定放電,減少指針擺動(dòng),便于讀數(shù)。其數(shù)值可為0.5~5μF/150V。當(dāng)回路中出現(xiàn)超過(guò)微安表量程的泄漏電流時(shí),放電管迅速放電,將微安表兩端短路。以保護(hù)微安表。放電管放電電壓一般約50~100V。

  R1為增壓電阻、微安表流過(guò)較大電流時(shí),增壓電阻R1增加放電管兩端壓降,使放電管放電。R1的數(shù)值可按下式計(jì)算

  R1=U/I×106,Ω

  式中 U——放電管實(shí)際放電電壓,V;

  I——微安表滿量程電流,μA。

  電感線圈L一般取1H左右。其作用是防止突然短路時(shí)放電管來(lái)不及動(dòng)作,沖擊電流損壞微安表。通常電感線圈可用電能表電壓線圈或小變壓器繞組代替。

  二、倍壓整流電路及多級(jí)串接整流電阻

  當(dāng)需要較高的直流高壓時(shí),如對(duì)35kV電纜進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn),對(duì)110kV及以上磁吹及氧化鋅避雷器進(jìn)行泄漏電壓試驗(yàn)時(shí),就要采用倍壓及三級(jí)串接整流,其接線如圖1-4所示。

圖1-4 倍壓整流及三級(jí)串接整流接線圖

(a)倍壓整流;(b)三級(jí)串接整流

  倍壓整流[見(jiàn)圖1-4(a)]可以輸出對(duì)地為2Umax的直流高壓。其原理為:當(dāng)電源電壓為正半波時(shí)(變壓器接地端為負(fù)),變壓器經(jīng)過(guò)硅堆V1導(dǎo)通,對(duì)C1充電到Umax;負(fù)半波時(shí),變壓器與電容C1的電壓疊加,經(jīng)硅堆V2對(duì)電容C2充電,如果C1≥C2,則C2經(jīng)過(guò)一個(gè)周波充到2Umax;一般C1=C2,所以C2經(jīng)若干周波后充到2Umax,即為變壓器輸出電壓峰值的2倍。串接式整流裝置也是根據(jù)以上原理制成的,其接線如圖1-4(b)所示。理想情況下(即不考慮效率及損耗),圖中1、2、3電的對(duì)地電壓值分別可達(dá)到2Umax、4Umax、8Umax。

  三、成套直流高壓試驗(yàn)儀器

  近年來(lái),隨著電子技術(shù)的廣泛應(yīng)用,研制出了晶體管直流高壓試驗(yàn)儀器和以倍壓整流產(chǎn)生高壓或經(jīng)可控硅逆變器再進(jìn)行倍壓整流獲得高壓的直流高壓發(fā)生器。

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